界霖科技股份有限公司 (TT 5285) 2025年6月 法人說明會簡報

公司概 overview

• 公司名稱： 界霖科技股份有限公司 (JIH LIN TECHNOLOGY CO., LTD)
• 股票代號： TT 5285
• 企業使命：
  • 核心能力： 金屬加工、導電散熱、提升電源管理效能
  • 願景： 移動、智能、永續
• 沿革與基本資料：
  • 2000年： 成立界霖科技股份有限公司
  • 2006年： 持有100%控股投資濟南界龍科技有限公司
  • 2014年2月25日： 正式掛牌上市 (股票代號 5285)
  • 2016年： 濟南界龍獲得濟南市「環保優良標竿企業」
  • 2017年： 向住立金屬礦山株式會社 (SMM) 購買旗下子公司—SHPJ, MSHP 與 SSHP
  • 2018年：
    1. 成立界霖科技營運總部
    2. 取得科技產業園區廠房，擴增台灣地區產能
  • 2019年： 楠梓廠區三廠沖壓產線正式投產啟用
  • 2021年：
    1. 楠梓廠區三廠金屬表面處理線啟用
    2. 蘇州住立精工二期廠房完工啟用
  • 2024年~： 產線設備持續優化及以ESG永續發展目標邁進
• 全球營運據點：
  • 濟南 (Jinan City, China)： 濟南界龍科技 (Jih Nan Jih Long Technology Co., Ltd.)
  • 蘇州 (Suzhou City, China)： 蘇州住立精工 (Suzhou SH Precision Co., Ltd.)
  • 高雄 (Kaohsiung City, Taiwan)： 界霖科技 (Jih Lin Technology Co., Ltd.)、界立科技 (Jih Li Technology Co., Ltd.)
  • 日本 米澤市 (Yonezawa City, Japan)： 日本住立精工 (SH Precision Co., Ltd. (Japan))
  • 馬來西亞 士乃 (Seremben City, Malaysia)： 馬來西亞住立精工 (Malaysian SH Precision SDN. BHD.)
  • 佈局策略： 佈局區域化、決策集中化、生產在地化
• 國際認證：
  • IATF16949:2016 Certified 2024
  • ISO 9001:2015 Certified 2024
  • ISO 14001:2015 Certified 2024
  • ISO 45001:2018 Certified 2024
  • ISO 14064-1:2018 Certified 2024 (溫室氣體查證意見)
• 主要客戶：
  • onsemi
  • ST
  • Infineon
  • VISHAY
  • Littelfuse
  • nexperia
  • ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Amkor Technology
  • MITSUBISHI ELECTRIC
  • 三菱電機
  • Sanken
  • RENESAS
  • KYOCERA
  • ROHM SEMICONDUCTOR
  • PANJIT SEMICONDUCTOR
  • ATX 日月新集团
  • gEM SERVICES
  • GCET

財務亮點與關鍵指標

合併綜合損益表 (單位: 新臺幣仟元)

合併資產負債表 (單位: 新臺幣仟元)

近期績效與成果

• 2025年第1季營運表現：
  • 營業收入達新臺幣1,335,411仟元，較2024年第1季成長13%。
  • 營業毛利淨額為170,383仟元，較2024年第1季成長6%。
  • 營業利益為52,938仟元，較2024年第1季成長28%。
  • 稅前淨利為60,600仟元，較2024年第1季減少20%。
  • 繼續營業單位本期淨利為43,742仟元，較2024年第1季減少22%。
  • 基本每股盈餘為0.43元。
• 終端市場應用營收佔比：
  • 2021年： Automotive 41%, Industrial 27%, Consumer 32%
  • 2022年： Automotive 46%, Industrial 28%, Consumer 26%
  • 2023年： Automotive 52%, Industrial 27%, Consumer 21%
  • 2024年： Automotive 51%, Industrial 27%, Consumer 22%
  • 2025年Q1： Automotive 49%, Industrial 28%, Consumer 23%
  • 趨勢顯示，Automotive (車用) 應用佔比持續維持高位，並在過去幾年呈現成長趨勢，而Consumer (消費性) 應用佔比則有所下降。

未來展望與指引

• 產業趨勢 - 車用半導體成長趨勢 (資料來源: 英飛凌Investor Presentation, 2025年5月)：
  • 每輛車半導體物料清單 (BoM) 平均成本：
    • 2024年ICE (燃油車)：約750美元
    • 2024年BEV (電動車)：約1,300美元
    • 2030年BEV：約1,650美元 (高階車款可達2,500美元)
  • 英飛凌涵蓋的半導體應用：
    • Drivetrain (動力傳動系統) 應用： Traction inverter (牽引逆變器), OBC (On-Board Charger - 車載充電器), DC-DC (直流-直流轉換器), BMS (Battery Management System - 電池管理系統), auxiliaries (輔助系統)。
      • BoM增加驅動因素：SiC (碳化矽) 和 GaN (氮化鎵) 取代 Si (矽), 每輛車更多、更強的馬達 → 每千瓦 (kW) 輕微增加。
    • SDV (Software Defined Vehicle - 軟體定義汽車) 和其他非動力傳動系統應用： Domain/Zone (域/區), SDV (含E/E architecture - 電氣/電子架構和 ADAS - Advanced Driver-Assistance Systems - 先進駕駛輔助系統), Safety and advanced security (安全與進階安全), Comfort and premium (舒適與豪華), Connectivity and infotainment (連接與資訊娛樂)。
  • BEV市場規模成長 (車輛生產)： 2024年1100萬輛 → 2030年約3200萬輛 (3倍成長)。
  • 結論： 隨著xEV (電動化車輛) 市場的成長和非動力傳動系統 BoM 的增加，英飛凌的利潤將翻倍。這預示著車用半導體市場的巨大成長潛力。
• 產業趨勢 - 功率半導體於綠能產業應用成長趨勢 (資料來源: 英飛凌Investor Presentation, 2025年5月)：
  • 功率半導體應用內容 (每MW或每安裝)：
    • 主要SiC應用： Wind (風能), Solar (太陽能), Grid-scale battery storage (電網級電池儲能), Electrolysis (電解), EV Charging (電動車充電), Fuel Cell (燃料電池)。
    • 主要IGBT應用： Fossil, nuclear, hydro (化石燃料、核能、水力), Heat Pump (熱泵)。
  • 2022年新增量 (GW或百萬台)：
    • Wind: 74 GW, Solar: 220 GW, Grid-scale battery storage: 12 GW, Electrolysis: <1 GW, EV Charging: ~6m (百萬台), Heat Pump: 22m (百萬台), Fuel Cell: 5k (千台)。
  • 2023-30年複合年增長率 (CAGR)：
    • Wind: 16%, Solar: 23%, Grid-scale battery storage: 56%, Electrolysis: 92%, EV Charging: 31%, Heat Pump: 16%, Fuel Cell: 42%。
  • 結論： 綠能產業對功率半導體的需求呈現強勁增長，特別是電解、電網級電池儲能和燃料電池等新興應用領域。

策略性措施與計畫

• 發展策略 - 發揮導線架優勢與精密技術以提升競爭力：
  • 關鍵成功因素 (Key successful factor)：
    • 效率 (Efficiency)： Low Rds(on) (低導通電阻), Low inductance (低電感), New PKG (新型封裝), Thermal management (熱管理)。
    • 功率密度 (Power density)： Fast switching (快速開關) (Si MOSFET/GaN), High current density (高電流密度) (Si IGBT/SiC MOSFET), T_j ≥ 175°C (結溫高於175°C) (SiC MOSFET)。
  • 技術發展方向： New topologies (新拓撲), New control strategies (新控制策略), Mechatronics integration (機電整合)。
• 發展策略 - 產品與製造技術：
  • 核心技術：
    • 局部電鍍技術 (Local Plating Technology)
    • 表面粗化技術 (Surface Roughening Technology)
    • 異型材製造 (Special Profile Manufacturing)
    • 精密模具設計 (Precision Mold Design)
    • 金屬精密沖壓 (Precision Metal Stamping)
    • 材料開發 (Material Development)
  • 主要產品： 功率模組 (Power Module), Clip
• 營運策略 - 區域供應鏈佈局，完備客戶需求：
  • 透過全球營運據點的佈局，實現區域化供應鏈，以更快速、更彈性地響應客戶需求。

關鍵圖表、圖形與數據點

• 公司沿革圖： 展示了公司從成立到目前的重要里程碑，包括上市、擴廠、收購等。
• 全球營運據點地圖： 標示了公司在台灣、中國、日本、馬來西亞的生產基地和辦事處。
• 國際認證證書： 顯示了公司獲得的IATF16949、ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001、ISO 14064-1等品質、環境、職業健康安全及溫室氣體管理體系認證。
• 終端市場應用佔比圖： 以堆疊長條圖展示了2021年至2025年Q1 Automotive、Industrial、Consumer三大應用領域的營收佔比變化。
• 車用半導體物料清單成長趨勢圖： 比較了ICE和BEV在2024年和2030年的半導體BoM，並顯示了BEV市場規模的預期成長。
• 功率半導體在綠能產業應用內容圖： 以長條圖展示了不同綠能應用中SiC和IGBT的價值，並提供了2022年新增量和2023-2030年CAGR數據。
• 導線架與精密技術提升競爭力示意圖： 以流程圖形式展示了提升效率和功率密度的關鍵因素及其相互關係。

產品、服務與技術

• 產品名稱：
  • 導線架 (Lead Frame)
  • 功率模組 (Power Module)
  • Clip
• 技術平台與系統：
  • 金屬加工 (Metal Processing)： 公司的核心能力之一。
  • 導電散熱 (Conductive Heat Dissipation)： 關鍵技術應用。
  • 電源管理效能 (Power Management Efficiency)： 提升此效能是公司使命。
  • 沖壓製造 (Stamping Manufacturing)： 楠梓廠區三廠的產線。
  • 金屬表面處理 (Metal Surface Treatment)： 楠梓廠區三廠的產線。
  • 局部電鍍技術 (Local Plating Technology)： 精密製造技術。
  • 表面粗化技術 (Surface Roughening Technology)： 精密製造技術。
  • 異型材製造 (Special Profile Manufacturing)： 精密製造技術。
  • 精密模具設計 (Precision Mold Design)： 精密製造技術。
  • 金屬精密沖壓 (Precision Metal Stamping)： 精密製造技術。
  • 材料開發 (Material Development)： 產品與製造技術的重要環節。
  • SiC (Silicon Carbide)： 碳化矽，用於高功率、高溫應用。
  • GaN (Gallium Nitride)： 氮化鎵，用於高頻、高效應用。
  • Si MOSFET (Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)： 矽金氧半場效電晶體。
  • Si IGBT (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistor)： 矽絕緣柵雙極電晶體。
• 服務內容： 簡報中未明確區分「服務」為獨立業務，主要聚焦於產品製造與技術應用。