全宇昕 2025Q3 法人說明會
6651上櫃
法人說明會
全宇昕 2025Q3 法說會簡報重點與營運摘要

全宇昕科技股份有限公司 (CYSTECH) 114年Q3 法說會簡報

Company Overview

公司簡介 (Company Profile)

  • 公司名稱: 全宇昕科技股份有限公司 (CYSTECH)
  • 董事長及總經理 (Chairman & General Manager): 李徐華
  • 設立日期 (Establishment Date): 中華民國91年04月10日 (April 10, 2002)
  • 證券代碼 (Stock Code): 6651
  • 實收資本額 (Paid-in Capital): 新台幣346,016仟元
  • 員工人數 (Number of Employees): 90人
  • 產品 (Products): MOSFET、BJT、Diode、IC等
  • 產品應用 (Product Applications): 工業電子、汽車電子、通訊設備、電源供應器及消費型電子等
  • 公司地址 (Company Address): 新北市中和區中正路716號15樓之7
  • 研發中心 (R&D Center): 新竹縣竹北市新泰路35號7樓之10

公司沿革 (Company Milestones)

  • 2014: 30V/60V/100V/150V NMOS & PMOS 成功進入電視類電源/直流無刷風扇/網路通訊/藍芽音響等市場。
  • 2015: 中壓SGT-NMOS 元件第一代製程,進入通訊手機快充市場。
  • 2016: 低電容MOSFET 通過電源國際大廠認證且販售。
  • 2017:
    • 8月股票公開發行。
    • 9月股票興櫃掛牌。
    • 40V高電流N-MOS通過客戶認證,進入電動工具市場。
  • 2018: 100V/150V SGT-NMOS系列通過客戶認證,進入網通/電源市場。
  • 2021:
    • 2月正式上櫃。
    • 100V SGT-NMOS 元件第三代製程,通過客戶認證,進入直流無刷風扇市場。
  • 2022: 150V SGT-NMOS 元件第二代製程,通過客戶認證,進入顯示器/網通市場。
  • 2023: 中壓SGT-PMOS 元件第一代製程。
  • 2024 (預計): 100V SGT-PMOS 進入直流無刷風扇市場。
  • 2025 (預計): 40V SGT PMOS 元件第一代製程;100V SGT-NMOS 第三代優化製程通過客戶認證,進入顯示器/網通市場。

Financial Highlights

營收、淨利及每股盈餘 (Revenue, Net Profit & EPS)

單位: 新台幣仟元, 每股盈餘為元

項目 (Item)年度 (Year)111 (2022)112 (2023)113 (2024)114上半年度 (2025 H1)113上半年度 (2024 H1)
營業收入 (Revenue)1,696,4321,344,8791,445,626799,610639,281
營業毛利 (Gross Margin)661,814463,967511,317283,621215,708
稅後淨利 (Net Profit after Tax)305,481188,365283,37885,102138,605
毛利率 (Gross Profit Margin)39%34%35%36%34%
每股盈餘 (EPS)8.915.488.222.464.03

全宇昕股利政策 (CYSTECH Dividend Policy)

年度 (Year)110 (2021)111 (2022)112 (2023)113 (2024)
EPS(NT$)7.778.915.488.22
Cash dividend(NT$)4.5647

產品銷售區域分佈 (Product Sales Region Distribution)

單位: 新台幣仟元

區域年度 (Region Year)110 (2021)111 (2022)112 (2023)113 (2024)114上半年度 (2025 H1)
亞洲 (Asia)1,109,404 (68%)1,150,780 (68%)940,692 (70%)976,201 (68%)481,330 (69%)
台灣 (Taiwan)504,432 (31%)526,363 (31%)393,003 (29%)462,597 (31%)314,472 (30%)
歐美及其它 (Europe, America & Others)12,841 (1%)19,289 (1%)11,184 (1%)6,828 (1%)3,808 (1%)
合計 (Total)1,626,6771,696,4321,344,8791,445,626799,610

公司產品 (Company Products)

  • MOSFET: 85%
  • BJT: 8%
  • Diode: 6%
  • OTHER: 1%

產品運用市場 (Product Application Market)

113年度 (2024 Annual)

  • 網通 (Networking/Communication): 30%
  • 直流風扇 (DC Fan): 22%
  • 顯示器 (Display): 14%
  • 電源 (Power Supply): 10%
  • 車載 (Automotive): 9%
  • 電腦 (Computer): 4%
  • 其它 (Other): 11%

114上半年度 (2025 H1)

  • 網通 (Networking/Communication): 37%
  • 直流風扇 (DC Fan): 23%
  • 顯示器 (Display): 10%
  • 電源 (Power Supply): 9%
  • 車載 (Automotive): 7%
  • 電腦 (Computer): 3%
  • 其它 (Other): 11%

Business Segments

研發成果 (R&D Achievements)

MOSFET元件技術開發 (MOSFET Component Technology Development)

  • 2023:
    • SGT N型中壓元件靜電防護 (SGT N-type medium voltage component ESD protection)
    • SGT P型中壓元件 60V (SGT P-type medium voltage component 60V)
    • SGT P型中壓元件 100V (SGT P-type medium voltage component 100V)
    • SiC N型高壓元件 1200V (SiC N-type high voltage component 1200V)
  • 2024:
    • SGT N型中壓元件 200V (SGT N-type medium voltage component 200V)
    • SGT P型低壓元件 40V (SGT P-type low voltage component 40V)
    • SGT P型中壓元件 150V (SGT P-type medium voltage component 150V)
    • SGT P型中壓元件靜電防護 (SGT P-type medium voltage component ESD protection)
  • 2025:
    • SGT N型中壓元件 250V (SGT N-type medium voltage component 250V)
    • SGT N型低壓元件靜電防護 (SGT N-type low voltage component ESD protection)
    • SGT P型低壓元件靜電防護 (SGT P-type low voltage component ESD protection)

近三年取得之專利 (Patents Obtained in the Last Three Years)

MOSFET 相關專利

專利名稱 (Patent Name)類別 (Type)地區 (Region)專利號碼 (Patent Number)
Composite power element and method for manufacturing the same發明 (Invention)美國 (USA)US11201147B2
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and method for manufacturing the same發明 (Invention)美國 (USA)US11257947B2
Composite Power Element發明 (Invention)美國 (USA)US11508724B2
Power Element發明 (Invention)美國 (USA)US11367798B2
金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and manufacturing method thereof)發明 (Invention)台灣 (Taiwan)I736087
金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and manufacturing method thereof)發明 (Invention)台灣 (Taiwan)I724717
複合型功率元件及其製造方法 (Composite power element and manufacturing method thereof)發明 (Invention)台灣 (Taiwan)I752495
複合型功率元件 (Composite power element)發明 (Invention)台灣 (Taiwan)I776413
具有稽納二極體的功率元件 (Power element with Zener diode)發明 (Invention)台灣 (Taiwan)I775078
具有稽納二極管的功率元件 (Power element with Zener diode)新型 (Utility Model)中國 (China)ZL202020868820.3
複合型功率元件 (Composite power element)發明 (Invention)中國 (China)ZL202020867365.5
複合型功率元件 (Composite power element)新型 (Utility Model)中國 (China)ZL202120517588.3
金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and manufacturing method thereof)發明 (Invention)中國 (China)ZL202010040387.9
金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and manufacturing method thereof)發明 (Invention)中國 (China)ZL202010044859.8
複合型功率組件 (Composite power module)發明 (Invention)中國 (China)ZL202110260111.6
複合型功率元件及其製造方法 (Composite power element and manufacturing method thereof)發明 (Invention)中國 (China)ZL202010437385.3

Future Research Directions

MOSFET:

  • SGT N-Type MOSFET現有產品線技術持續提升 (Continuous improvement of existing SGT N-Type MOSFET product line technology)
  • SGT P-Type MOSFET產品技術持續拓展及優化 (Continuous expansion and optimization of SGT P-Type MOSFET product technology)
  • SiC元件技術量產 (Mass production of SiC component technology)

Q&A


感謝各位貴賓蒞臨指教 (Thank you for your presence and guidance)


Company Profile (Contact Information)

Headquarter:

  • Address: 15F-7, No716, Chung-Cheng Rd., Zhonghe District, New Taipei City, Taiwan, 23552
  • TEL: +886-2-8227-3827
  • FAX: +886-2-8227-3830

Research & Design Center:

  • Address: 7F.-11, No.35, Xintai Rd., Zhubei City, Hsinchu County 30252, Taiwan
  • TEL: +886-3-5537-271
  • FAX: +886-3-5535-742

E-Mail: cystek@cystek.com.tw
Website: http://www.cystekec.com

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