微矽電子 (8162) 2026Q1 法說會簡報
Company Overview
- 公司名稱: 微矽電子股份有限公司 (Micro Silicon Electronics Co. Ltd.)
- 股票代號: 8162
- 法人說明會日期: 2026年3月20日
- 成立年度: 1987年
- 實收資本額: 6.87億 新台幣
- 員工人數: 約600人
- 公司沿革: 深耕半導體產業39年
- 營運核心: 以電源與節能為營運發展核心，專注功率半導體利基市場。
- 服務項目: 針對電源管理IC與功率元件提供完整的測試、薄化、封裝一站式整合性服務。
- 市場地位: 為國內電源管理IC (PMIC)、MOSFET、氮化鎵 (GaN) 晶圓測試服務的最大供應商。
- 營業地點:
- 竹南廠:
- 地址: 苗栗縣竹南鎮友義路230號
- 土地面積: 8,045 平方公尺 (2,434坪) (自有)
- 建物面積: 19,069 平方公尺 (5,768坪) (自有)
- 服務項目: 晶圓測試、晶圓薄化、晶圓切割
- 竹東廠:
- 地址: 新竹縣竹東鎮沿河街395號
- 土地面積: 5,386 平方公尺 (1,629坪) (自有)
- 建物面積: 3,305 平方公尺 (1,000坪) (自有)
- 服務項目: 晶圓測試、成品測試
- 竹南廠:
- 公司里程碑:
- 1987: 公司成立，建立晶圓切割生產線
- 1998: 切入晶圓測試、探針卡製造、晶圓背面研磨 (BG)
- 2001: 切入電源管理IC (PMIC) 測試
- 2003: 切入LCD驅動IC測試與COG封裝
- 2006: 切入MOSFET測試
- 2014: 切入氮化鎵 (GaN) 測試與切割
- 2016: 切入WLCSP DPS封裝
- 2018: 切入晶圓背面研磨與金屬鍍膜 (BGBM)
- 2019: 切入碳化矽 (SiC) 測試與切割
- 2021: 切入矽電容 (Si-Cap) 測試與DPS封裝
- 2023: 切入晶圓正面金屬鍍膜 (FSM)
Financial Highlights
- 2025年 年度營收: 12.74億 新台幣 (YoY +20%)
- 2025年 年度毛利率: 25% (YoY +5ppts)
- 2025年 年度營業利益: 1.26億 新台幣
- 2025年 年度稅後淨利: 1.08億 新台幣
- 2025年 年度EPS: 1.57元 新台幣
Recent Performance and Results
2025年第四季營運成果
- 營收: 2.88億 新台幣 (QoQ -17%, YoY -2%)
- 毛利率: 17% (QoQ -11ppts, YoY -3ppts)
- 營業利益: -0.01億 新台幣
- 稅後淨利: 0.03億 新台幣
- EPS: 0.04元 新台幣
- 營運說明:
- 第四季為傳統淡季，設備使用率下滑，影響獲利表現。
- 受美國關稅影響，Q1-Q3有部分提前拉貨訂單，造成Q4訂單量下滑。
- 氮化鎵 (GaN) 部分，主力客戶進行轉型調整，退出消費性市場，全面轉向高功率應用領域，因此營收受到影響，預計2026年可逐季恢復動能。
- DDR5相關類比IC部分，受到DRAM缺貨影響，第四季訂單量有所放緩。
- 貴金屬價格上漲，影響晶圓薄化毛利率，今年已開始調漲代工價格以反應成本上升。
2025年營運成果 (全年)
- 營收: 12.74億 新台幣 (YoY +20%)
- 毛利率: 25% (YoY +5ppts)
- 營業利益: 1.26億 新台幣
- 稅後淨利: 1.08億 新台幣
- EPS: 1.57元 新台幣
- 營運說明:
- PMIC部分: 主要受惠PC、NB市場回溫，以及伺服器、HPC、與DDR5市場成長。
- MOSFET部分: 主要受惠散熱風扇馬達驅動應用與高功率電源應用成長。
- GaN部分: 主要受惠無人機、機器人、與伺服器應用成長。
營收與毛利率趨勢 (季度)
| 季度 | 營業收入 (新台幣千元) | 產能利用率 | 毛利率 |
|---|---|---|---|
| 2024Q1 | 242,113 | 54% | 19% |
| 2024Q2 | 236,863 | 62% | 12% |
| 2024Q3 | 289,731 | 73% | 24% |
| 2024Q4 | 295,445 | 74% | 20% |
| 2025Q1 | 297,878 | 74% | 24% |
| 2025Q2 | 339,749 | 79% | 31% |
| 2025Q3 | 349,022 | 79% | 28% |
| 2025Q4 | 288,124 | 66% | 17% |
年度營收與獲利趨勢
| 項目 | 2022年 (新台幣千元) | 2023年 (新台幣千元) | 2024年 (新台幣千元) | 2025年 (新台幣千元) |
|---|---|---|---|---|
| 營業收入 | 1,266,677 (YoY -2%) | 904,879 (YoY -29%) | 1,064,152 (YoY 18%) | 1,274,773 (YoY 20%) |
| 營業毛利 | 403,308 | 125,128 | 212,365 | 321,189 |
| 營業利益 | 204,482 | -38,559 | 38,921 | 126,380 |
| 稅後淨利 | 168,338 | -26,279 | 87,141 | 107,541 |
| 毛利率 | 32% | 14% | 20% | 25% |
| EPS | 2.7 | -0.39 | 1.28 | 1.57 |
| 股利 | 1.5 | 0.5 | 1.0 | 1.5 |
Business Segments
營收比重 - 分營業項目
| 營業項目 | 2024年比重 | 2025年比重 | YoY變化 |
|---|---|---|---|
| 半導體測試 | 71% | 72% | +1ppts |
| 晶圓薄化 | 22% | 21% | -1ppts |
| 半導體封裝 | 7% | 7% | ±0ppts |
營收成長 - 分營業項目 (單位: 新台幣千元)
| 營業項目 | 2024年營收 | 2025年營收 | 成長率 |
|---|---|---|---|
| 半導體測試 | 750,387 | 922,394 | 23% |
| 晶圓薄化 | 237,528 | 263,421 | 11% |
| 半導體封裝 | 76,237 | 88,959 | 17% |
營收比重 - 分產品製程
| 產品製程 | 2024年比重 | 2025年比重 | YoY變化 |
|---|---|---|---|
| 電源管理IC測試 | 51% | 51% | ±0ppts |
| MOSFET晶圓薄化與測試 | 33% | 33% | ±0ppts |
| 第三代半導體測試 | 9% | 9% | ±0ppts |
| 半導體封裝 | 7% | 7% | ±0ppts |
營收成長 - 分產品製程 (單位: 新台幣千元)
| 產品製程 | 2024年營收 | 2025年營收 | 成長率 |
|---|---|---|---|
| 電源管理IC測試 | 540,482 | 656,485 | 21% |
| MOSFET晶圓薄化與測試 | 351,701 | 417,611 | 19% |
| 第三代半導體測試 | 95,732 | 111,718 | 17% |
| 半導體封裝 | 76,237 | 88,959 | 17% |
Products & Technologies
- 主要營業項目:
- 半導體測試: 晶圓測試 (CP)、成品測試 (FT)
- 晶圓薄化: 晶圓正面金屬鍍膜 (FSM)、晶圓背面研磨與金屬鍍膜 (BGBM)
- 半導體封裝: 晶圓切割、WLCSP-DPS封裝
- 產品製程分類:
- 電源管理IC測試: 電源管理IC測試、其他IC產品測試
- MOSFET晶圓薄化與測試: 晶圓正面金屬鍍膜 (FSM)、晶圓背面研磨與金屬鍍膜 (BGBM)、MOSFET測試
- 第三代半導體測試: 氮化鎵 (GaN) 測試、碳化矽 (SiC) 測試
- 半導體封裝: 晶圓切割、WLCSP-DPS封裝
Clients & Markets
全球電源管理IC (PMIC) 市場趨勢
- Power Management IC Global Market Report 2025
- 預估2029年市場規模: 將達到482.3億美元
- 年複合成長率 (CAGR): 7.2%
- 市場規模 (in USD billion):
- 2024: $33.88 billion
- 2025: $36.46 billion
- 2029: $48.23 billion
全球MOSFET市場趨勢
- Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) Global Market Report 2025
- 預估2029年市場規模: 將達到114.7億美元
- 年複合成長率 (CAGR): 7.3%
- 市場規模 (in USD billion):
- 2024: $8.08 billion
- 2025: $8.65 billion
- 2029: $11.47 billion
全球氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 市場趨勢
- GaN And SiC Power Semiconductor Global Market Report 2025
- 預估2029年市場規模: 將達到34.3億美元
- 年複合成長率 (CAGR): 19.1%
- 市場規模 (in USD billion):
- 2024: $1.42 billion
- 2025: $1.71 billion
- 2029: $3.43 billion
全球氮化鎵 (GaN) 功率元件市場趨勢
- GaN Power Devices Market
- 預估2030年市場規模: 將達到22億美元
- 年複合成長率 (CAGR): 30.5%
- 市場規模 (in USD Million):
- 2024: USD 450.9 Million
- 2030: USD 2,200 Million
全球矽電容 (Si-Cap) 市場趨勢
- Silicon Capacitors Global Market Report 2025
- 預估2029年市場規模: 將達到22.1億美元
- 年複合成長率 (CAGR): 5.7%
- 市場規模 (in USD billion):
- 2024: $1.68 billion
- 2025: $1.77 billion
- 2029: $2.21 billion
市場應用
- 氮化鎵 (GaN) 市場應用:
- 快速充電器:
- 已大量應用於手機/NB/平板/家電的快速充電器。
- 體積小、重量輕，充電速度可達3倍。
- 市場滲透率持續上升，帶動GaN使用量成長。
- 無人機:
- 廣泛應用於無人機系統，包含馬達驅動控制、DC-DC轉換、光達、電池管理系統。
- 體積更小、重量更輕、耗電量更低，飛行時間更長、距離更遠、充電時間更短，機器視覺更清晰。
- 無人機發展迅速 (軍用、工業、商用、農業等)，GaN應用將持續發酵。
- 機器人/機器狗:
- 已開始應用於機器人、機器狗。
- 應用範圍包含馬達驅動控制、DC-DC轉換、光達、電池管理系統。
- 體積更小、重量更輕、效率更高。
- GaN的高頻特性有助於實現精確馬達控制，提高效率和響應速度，達到更精準與順暢的運動控制。
- AI系統: 採用GaN的DC-DC轉換器提供高功率密度，確保AI系統最佳效能。
- 機器視覺: GaN應用於光達雷射驅動器，工作頻率超100MHz，提供高解析度、長距離監測、快速刷新率、更小體積。
- 運動控制: GaN開關速度比傳統MOSFET快100倍以上，高頻運行減少能量損耗、提高系統效率、降低散熱要求，實現更精準順暢的運動控制，並使被動元件小型化。
- 資料中心/AI伺服器:
- GaN/SiC在資料中心/AI伺服器電源架構中扮演重要角色。
- 隨著算力攀升，功耗與散熱問題顯著，高效電源需求強勁。
- GaN/SiC是提升電源效率與功率密度的關鍵技術，可節省能耗、減少碳排、提高輸出功率、節省機櫃空間。
- 隨著AI與雲端服務快速成長，GaN/SiC使用量將持續上升。
- 800VDC 高壓直流 (HVDC) 電源架構:
- AI資料中心800VDC HVDC架構是GaN/SiC終端應用的新亮點，將迎來高成長。
- 電源供應器從機架式改為獨立電源櫃，系統電壓從54/50/48V提高到800V，支援1MW以上IT機櫃電源，並可整合BBU與超級電容。
- 整體能源效率提升5%，銅材使用量減少45%，維護成本降低70%。
- 10KW 全 GaN DC-DC 電源平台: 800V-to-50V、±400V-to-50V，開關頻率1MHz，峰值效率98.5%，滿載效率98.1%，功率密度2.1 kW/in³。
- SST固態變壓器: (高壓交流->800VDC) 高壓SiC。
- DC-DC模組: (800V->54V) 高壓SiC、高壓GaN、低壓GaN；(IBC 54V->12V), (VRM 12V->0.65V) 低壓GaN。
- NVIDIA 800VDC 半導體合作夥伴:
- 2025年8月公布: Infineon (英飛凌), MPS (芯源), ADI (亞德諾), TI (德儀), ROHM (羅姆), ST (意法), Innoscience (英諾賽科), Navitas (納微), Onsemi (安森美), Renesas (瑞薩)。
- 2025年10月公布: (新增) AOS (萬有), EPC (宜普), PI (包爾英特), Richtek (立錡)。
- 低軌衛星、航太:
- GaN具卓越的抗輻射、耐高溫、高效率、小型化、輕量化等特性，在航太產業具巨大潛力。
- GaN可承受嚴峻太空環境，越來越多客戶在衛星應用採用GaN元件，可縮小衛星體積、減輕重量、降低發射成本、提高運作壽命。
- 應用範圍包含DC/DC轉換器、負載點系統、馬達驅動器、離子推進器。
- 快速充電器:
- 碳化矽 (SiC) 市場應用:
- 電動車:
- 已開始應用於車載充電器 (OBC)、牽引逆變器 (Traction Inverter)、DC-DC轉換器與充電樁 (Charging Station)。
- 電動車市場大幅成長趨勢下，SiC使用量將持續提升。
- 再生能源:
- 已廣泛應用於太陽能 (Solar Energy)、風能 (Wind Energy) 與儲能系統 (Energy Storage System, ESS)。
- 有效減少功率損耗與系統尺寸。
- ESG節能減碳趨勢下，各國政府與產業持續增加再生能源利用，有助SiC使用量持續成長。
- 電動車:
- 矽電容 (Si-Cap) 市場應用:
- 特性: 體積小、厚度薄、電容密度高、可靠性高、高頻特性佳、電壓偏移特性佳、溫度特性佳，可有效穩定電源、抑制高頻雜訊。
- 優勢: 導入矽電容可在電源完整性與訊號完整性方面創造優勢，是推動AI算力與先進封裝的關鍵技術。
- 市場需求: 市場對高性能、高密度、小型化電容器的需求快速提升，矽電容正迎來高速成長期。
- 主要市場應用領域: AI與高效能運算 (HPC)、光通訊模組、CPO、行動通訊、汽車電子、航太、醫療與國防。
Outlook & Strategy
成長動能與營運展望
- 類比IC大廠相繼調漲產品售價，全球類比IC市場復甦訊號明確。
- HPC與網通市場帶動DrMOS (Driver MOS) 與SPS (Smart Power Stage) 的成長。
- 高功率低功耗MOSFET成長動能強，帶動相關晶圓薄化與晶圓測試的持續成長。
- 邊緣AI應用，推動AI PC/NB需求成長。
- AI資料中心電力架構升級，帶動電源管理IC與功率元件需求的結構性增長，成為長期成長引擎。
- AI伺服器與資料中心功耗飆升，HVDC高壓直流電力架構成為新主流，帶動氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 的需求爆發，成為重要成長引擎。
- 台積電2027年7月退出氮化鎵 (GaN) 市場，關廠前投片潮將帶動大量測試需求。
- 安世半導體轉單效應逐漸發酵，帶動MOSFET客戶需求上升。
- FSM (晶圓正面金屬鍍膜) 產品驗證陸續完成，今年已開始進入小量量產。
- 預計Q3導入新製程Taiko Wafer BGBM，可支援50um超薄MOSFET晶圓的全自動化生產，指向車用與高端應用需求。
- 切入矽電容 (Si-Cap) 後段製程，陸續進行客戶驗證，預計下半年開始進入小量量產。
- 切入功率模組 (Power Module) 的成品測試與Burn-in測試，無塵室擴建預計Q2完成，Q3開始進入小量量產。
成長動能與營運展望 (總結)
- 氮化鎵 (GaN) 的應用領域持續擴散，帶動需求成長，包括：
- 低軌衛星
- AI伺服器、資料中心、BBU
- 機器人、機器狗
- 無人機
- 快速充電器、家電
- 在PMIC、MOSFET、GaN的需求帶動下，2026年業績可望持續成長。
- 新的項目，FSM、Taiko Wafer BGBM、矽電容 (Si-Cap)、功率模組 (Power Module) 則有機會創造更多的成長動能。
Additional Data
- 免責聲明: 本簡報資料所提供之資訊，包含所有前瞻性的看法，將不會因任何新的資訊、未來事件、或任何狀況的產生而更新相關資訊。微矽電子股份有限公司 (本公司) 並不負有更新或修正本簡報資料內容之責任。本簡報資料中所提供之資訊並未明示或暗示的表達或保證其具有正確性、完整性、或可靠性，亦不代表本公司、產業狀況或後續重大發展的完整論述。