汎銓科技 (MSS) 2024Q4 法說會簡報

Company Overview

汎銓科技股份有限公司 (MSSCORPS CO., LTD. (MSS)) 是一家提供AI晶片分析平台的公司。

核心服務項目:

免責聲明 (Disclaimer):

本簡報包含前瞻性陳述，所有非歷史事實的陳述，涉及Material Science Service Corp.預期或預計未來可能發生的活動、事件或發展（包括但不限於預測、目標、估計和業務計劃）均為前瞻性陳述。
MSS的實際結果或發展可能因各種因素和不確定性而與這些前瞻性陳述所表明的內容存在重大差異，這些因素和不確定性包括但不限於市場需求、法律、金融和監管框架的變化、政府政策、金融市場條件以及我們無法控制的其他風險和因素。
MSS不承擔任何公開更新任何前瞻性陳述的義務，以反映該陳述作出日期之後的事件或情況，或反映意外事件的發生。
本報告所載內容為汎銓科技股份有限公司之智慧財產權，非經本公司書面授權許可，不得透露或使用本報告，亦不得複印、複製或轉變成其他任何形式使用。
本報告結果僅基於申請人提供的數據、資訊和/或樣本。本報告所有內容應視為整體，分離使用（文字或圖片）無效。
本報告僅供參考。若貴公司擬作為廣告、商業推銷、公證、法律訴訟之用途，請先諮詢本公司同意。

營收數據 (單位: 千元):

法人關注議題 - 市場組合變化:

2024 Q4 海外營收佔比: 15% ~ 20%
2025 Q4 海外營收佔比: 25% ~ 30%
- 海外市場動態變化為公司帶來新的成長機會與策略布局考量。
- 市場組合呈現明顯變化趨勢，大陸市場營收佔比持續提升，反映出中國半導體產業的快速發展與材料分析服務需求的增長。

法人關注議題 - 產品組合變化:

2024 Q4 產品組合:
- 故障分析 (FA): 10%~15%
- 材料分析 (MA): 85%~90%
2025 Q4 產品組合:
- 故障分析 (FA): 10%~15%
- 材料分析 (MA): 80%~85%
- 高技術門檻的 MA 服務佔比穩居80%以上，確保整體毛利率結構優於同業。

汎銓在半導體產業鏈扮演的角色 - 故障分析 (FA)

項目&定位: IC產品醫院
內容:
- IC設計除錯與找出IC故障真因，讓客戶產品快速Time to market。
- IC設計/光罩:
  1. IC電路修補，讓designer找出設計錯誤點，並確認更改設計的有效性。
  2. IC量產後，針對不良品，進行電測/故障點標定/結構/成份分析運用 EFA & PFA 技術找出IC故障真因。
- 封測/載板/軟板/PCB等:
  - 汎銓的低損傷分析技術，從晶圓代工取得絕對優勢，擴展到半導體下游。
  - 材料多樣性/硬度差異/越做越薄/層和層結合力越來越弱。
  - 開發一系列保護試片專利，減少熱和電的影響，避免產生人為缺陷。
故障分析流程:
- Non-destructive inspection (非破壞性檢測): Visual inspection (目視檢查), Inner inspection by X-ray (X光內部檢查), Inner inspection by C-SAM (C-SAM內部檢查)。
- Electrical testing and positioning (電性測試與定位): IV Curve Trace (IV曲線追蹤), Thermal positioning on Package (封裝熱點定位), 3D X-ray inspection hot spot (3D X光熱點檢查)。
- Fault location analysis (故障點分析): TEM/EDS inspection (TEM/EDS檢查), FIB cross-section inspection (FIB截面檢查), EBIC positioning (EBIC定位), C-AFM scan contact layer (C-AFM掃描接觸層), SEM VC inspection after delayer (去層後SEM VC檢查), OBIRCH positioning (OBIRCH定位)。
- Device level inspection after delayer (去層後元件級檢查)。

汎銓在半導體產業鏈扮演的角色 - 材料分析 (MA)

項目&定位: 研發領航者
內容:
- 晶圓代工設備材料: 提供電晶體結構與成份分析，讓FAB快速達成以下任務：
  1. 研發最先進製程，決定新設備的機型/新材料/製程參數。
  2. 導入量產，新建產線的機台，必須證明與RD line一致性。
  3. 量產中，產線持續良率提昇。
- 關鍵使命: 汎銓技術停滯或速度變慢，客戶的研發時程就會延誤。我們的技術領先能力直接影響客戶的市場競爭力。
材料分析流程: 進案製備 -> FIB 切削+Pick up -> TEM 拍攝+EDS -> 數據AI自動量測 -> 報告資料整理。
專利名稱:
- 低溫原子層鍍膜專利 (2020-2039)
- 導電膠保護膜專利 (2022-2040)
- 原子層導電膜專利 (2022-2041)
- 影像自動量測專利 (2022-2040)

半導體設備/材料研發

階段一: 設備/材料 Path Finding
- 在海外優先抓住設備商的源頭研發，在台灣承接量產驗證，納全半導體的開發週期。
- 研發中心 Path Finding:
  - 設備商(例如 Txx、Lxx 等)在各自的研發中心開發 Etch 等機台。
  - 定義機台參數與規格。
  - 定義製程能力(Process Window)與選擇配合材料。
- 美系設備商: 美國矽谷 (研發中心)
- 日系設備商: 日本大東京灣地區 (東京、橫濱、川崎、筑波…)
階段二: RD FAB 設備材料導入與驗證
- 客戶端 DEMO 與參數優化:
  - 原型機台搬到接近客戶端所在區域。
  - 由客戶RD工程師實際操作。
  - 優化客戶自己的參數與配合材料。
  - 比較產能、良率、CD 控制、粗糙度等指標，決定機台/標準 Recipe。
- 新竹 (研發FAB)
階段三: 台灣量產FAB量產導入 & 逐台PRS Check
- 技術移轉到量產FAB:
  - 量產FAB建立與研發FAB一致的品質。
  - 複製相同材料與製程Recipe。
  - 每一台新導入設備，需逐台執行PRS (Process Release Spec)。
  - 確認與研發FAB基準設備在關鍵指標(CD、輪廓、缺陷、產能…)上表現一致後，才納入正式量產排程。
- 新竹/台南/台中 (量產FAB)

汎銓分析技術分類與成長性

| 分類 | 屬別 | 技術名稱 | MSS 強項