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漢磊 2026Q4 法人說明會
3707上櫃
法人說明會
漢磊 2026Q4 法說會簡報重點與營運摘要

漢磊科技股份有限公司 (股票代號:3707) 2026H1 法說會簡報

Company Overview

公司名稱: 漢磊科技股份有限公司 股票代號: 3707 業務範圍: Power & Analog Semiconductor Foundries (功率及類比半導體晶圓代工)

風險聲明 (Page 2)

本報告陳述內容為前瞻性預測,可能受到不確定因素和重大風險影響,該不確定因素包含訂價策略、客戶關係、景氣波動、產業供需狀況、終端市場變化等,我們不保證報告準確性和完整性,除法律要求外,我們亦不承擔更新任何前瞻性陳述之義務。

使用者依建議或資料內容進行任何投資行為所產生之風險及盈虧,未經自行了解判斷,而導致交易損失風險,應自行負擔,本公司不對使用者之投資決策負任何責任。

Financial Highlights

簡明合併損益表 (新台幣千元) (Page 5)

會計項目2025 H1 金額2025 H1 %2025 金額2025 %2026 H1 金額2026 H1 %
營業收入2,662,4251005,765,9721003,329,828100
營業毛利(130,531)(5)(190,447)(3)280,4279
營業損益(463,642)(17)(869,198)(15)(72,514)(2)
稅前損益(416,161)(15)(738,273)(13)(36,226)(1)
本期損益(406,848)(15)(748,891)(13)(102,414)(3)
負債總額及負債比率4,233,758323,714,057293,671,28025
營收成長率YoY(9%)(1%)25%
股東權益報酬率(3%)(8%)(1%)
每股盈餘(NTD)(1.02)(1.97)(0.57)

簡明合併資產負債表 (新台幣仟元) (Page 6)

會計項目2025/6/30 金額2025/6/30 %2025/12/31 金額2025/12/31 %2026/6/30 金額2026/6/30 %
流動資產7,377,469556,345,726498,309,03656
非流動資產6,010,086456,533,988516,534,10444
資產總計13,387,55510012,879,71410014,843,140100
流動負債3,072,494231,928,246152,360,57616
非流動負債1,161,26491,785,811141,310,7049
負債總計4,233,758323,714,057293,671,28025
股本3,832,227293,901,453304,004,84427
資本公積3,538,625263,818,053305,053,78134
保留盈餘(141,750)(1)(502,824)(4)(224,159)(1)
其他權益(108,498)(1)(112,242)(1)(113,275)(1)
非控制權益2,033,193152,061,217162,450,66916
權益總計9,153,797689,165,6577111,171,86075
每股淨值(元)18.5818.2121.78

Business Segments

營業收入_個體 (Page 7)

2026年上半年累計營收約新台幣11億7仟萬元,與去年同比增加18%。

個體營收季度表現 (M = 百萬美元)

季度總營收SiCompound
Y25Q1$468M276192
Y25Q2$521M305216
Y25Q3$655M391263
Y25Q4$583M384198
Y26Q1$569M439130
Y26Q2$597M441156

產品銷售組合分析 - 地區別 (Page 8)

2026H1

  • 美國: 38% (YoY +30%)
  • 台灣: 27% (YoY +84%)
  • 中國: 17% (YoY -16%)
  • 其他: 18%

2025H1

  • 美國: 34%
  • 台灣: 17%
  • 中國: 25%
  • 其他: 24%

產品銷售組合分析 - 產品應用別 (Page 9)

2026H1

  • 工業用: 43%
  • 消費性: 40%
  • 車用: 12%
  • AI: 5%

2025H1

  • 工業用: 48%
  • 車用: 22%
  • 消費性: 30%

產品銷售組合分析 - 技術平台別 (Page 10)

2026H1

  • 靜態電壓抑制器: 39%
  • 化合物功率元件: 25%
  • 其他: 25% (*消費性MOSFET、二極體 & CMOS)
  • 車用MOSFET: 9%
  • 快速回復二極體: 2%

2025H1

  • 化合物功率元件: 41%
  • 靜態電壓抑制器: 25%
  • 車用MOSFET: 19%
  • 其他: 14% (*消費性MOSFET、二極體 & CMOS)
  • 快速回復二極體: 1%

Products & Technologies

GaN (氮化鎵) 功率元件市場 (Page 13)

產業總覽與成長動能

  • 市場規模: 預計2031年突破35億美元,2025-2031年CAGR達35%。
  • 結構轉型: 應用場景正由「消費級快充」跨越至「高功率基礎設施與車用」。

核心應用領域

  • AI資料中心/伺服器 (最強動能): PSU (電源供應器)與48V/800V DC-DC轉向架構。
  • 車用與移動交通: 拓展至光達(LiDAR)、車載充電器(OBC)與高壓650V/800V轉換器。
  • 前瞻應用: 人形機器人、關節馬達與無人機。

SiC (碳化矽) 功率元件市場 (Page 14)

產業總覽與規模

  • 市場規模: 2026年突破46億美元,2031年達110億美元(CAGR近20%)。
  • 驅動結構: 從單一「電動車主驅」擴展至「車用+AI算力+超高壓電網/工業」多元驅動。

關鍵應用

  • 車用主流化: 沿用範圍由高階800V車款主驅逆變器,持續至中高階主流車款及OBC/DCDC轉換器。
  • AI伺服器電源 (新爆發點): AI伺服器功耗大增(>3kW-8kW+),SiC MOSFET成為>3kW PSU標準配備,大幅縮減體積與散熱成本。

TVS (瞬態電壓抑制器) (Page 15)

市場規模與三大驅動力量

  • 市場規模: 約22-26億美元(CAGR4%-8%)。
  • 三大應用: 車用800V架構、AI伺服器高速介面、晶片微縮防護需求。

技術平台與漢磊優勢定位

  • 製程分工:
    • Bipolar (雙極型, 佔65%): 主打大功率/高壓防護。
    • CMOS (佔35%): 主打高密度/低壓訊號。
  • 漢磊定位: 專注於高門檻Bipolar TVS,匹配公司產能技術。

商業模式利基

  • TVS具備「少量多樣、SKU型號繁多」特性,且高度考驗磊晶廠配合。
  • 在子公司嘉晶的磊晶廠支援下,漢磊6吋晶圓廠具高效生產。

技術研發成果及應用 (Page 21)

Gen5 SiC Planar MOSFET (新一代平面技術)

  • 認證進度: 已完成客戶產品可靠度測試。
  • 效能提升: 將單元間距(Cell Pitch)縮小至3.3µm,單位面積導通電阻(Ron, sp)降至2.2mΩ-cm²,導通損耗較前一代降低12%,整體元件效能提升約15%。

8吋 SiC 產線 (與世界先進合作)

  • 設備與試產: 設備全數到位,首批試產片(TV)良率優於預期目標。
  • 量產時程: 按計畫年底產線進入小量量產,首波已有5家客戶預計年底Tape-out。

第七代 eGaN 元件專案

  • 開發進度: 與客戶共同開發順利進行中。
  • 效能與應用: 效能較矽MOSFET高出3倍,鎖定AI資料中心、人形機器人、無人機與電動工具之馬達驅動控制。

Recent Performance and Results

2026上半年營運概要 (Page 11)

2026年上半年漢磊科技的營運漸露曙光,核心事業結構改善顯著。

整體績效

  • 2026H1合併營收年增18%。
  • 毛損率改善至-18%(YoY+6%),展現虧損收斂與營運效益回升趨勢。

Si-base (矽基)

  • 年增51%。
  • 受惠AI伺服器電源升級與地緣政治轉單效應。
  • 其中TVS保護元件需求強勁(年增88%),產能利用率持續突破100%。

GaN (氮化稼)

  • 上半年度走出谷底強勢反彈(H1 YoY雖-10%,但H1/HoH暴增140%)。
  • 受益於AI Data Center、機器人及無人機應用放量。
  • 產能利用率由2025 Q4的30%逐季爬升至2026Q2的95%以上。

SiC (碳化矽)

  • 處於庫存去化與技術平台轉型期(YoY-40%,利用率<30%)。
  • 公司正加速推動客戶技術驗證與8吋轉型,奠定下一階段成長基石。

Outlook & Strategy

2026 下半年營運概要 彙總 (Page 17)

整體營運

  • 產業結構性需求,帶動下半年產能成長。
  • 2026下半年預估較上半年約持平(+3~5%),反映產品線的策略性調整期。

主要營運重點

  1. 營運營收築底回升: 下半年整體營運優於上半年。
  2. 矽基(Si)基石穩固: AI伺服器與地緣轉單效益延續。
  3. 氮化鎵(GaN)高載運轉: 應用擴大帶動產品需求。
  4. 碳化矽(SiC)庫存去化尾聲: 迎接8吋轉型與第四代平台技術應用。

2026 下半年營運展望 (Page 18, 19, 20)

Si-base (矽基)

  • 策略性調整: 預估下半年Si-base業績約減20~25%,主因係主動整併4/5吋舊廠,集中資源至6吋及8吋廠。
  • 低效能資產處置/整併: 淘汰舊產線以降低閒置產能成本。
  • 產線策略調整過程: 已於9月完成資產及產線處置。
  • 下半年動能: 6吋TVS需求持續強勁,下半年業績預估較上半年成長約35~40%。
  • 全年展望: 現階段產能利用率已滿載,將配合客戶擴充產能,預估2026全年TVS業績將實現年增約75~80%的強勁表現。

GaN (氮化稼)

  • 產能狀況: 產能滿載,長線需求動能充沛。
  • 業績展望: 下半年較上半年成長約25~30%;2026全年年增50%,預計2027年目標年增>20%。
  • 產能動態: 產能利用率>100%。AI Data Center需求強勁,客戶提出擴產需求。

SiC (碳化矽)

  • 市場趨勢: 呈現V型反彈,利用率逐季攀升。
  • 業績展望: 下半年營收較上半年大幅成長>120%。受惠AI需求外溢與產品滲透率提升,元件價格有調升空間。
  • 產能動態: 第三季起投片量倍增,利用率提升60%以上;第四季有機會突破80%。
  • 2027展望: 6吋產能挑戰滿載,增量需求將由8吋SiC產線接棒提供。

Additional Data

6吋晶圓營收 (2026下半年/上半年) (Page 18)

  • 6-in Revenue : 2H/1H +40%

6吋 TVS 營收及季成長率 (Page 19)

期間2025H12025H22026H12026H2(F)2027H1(F)2027H2(F)
Revenue(Bar)(Bar)(Bar)(Bar)(Bar)(Bar)
HoH (季成長率)39%34%37%5%10%

聯絡資訊 (Page 22)

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