盛新材料科技股份有限公司 (6930) 2026.10.12 法說會簡報

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公司簡介

第三類半導體碳化矽關鍵材料領航者

• 成立時間: 2020年創立
• 資本額: 新台幣9億元
• 營業據點: 台灣中壢廠
• 主要業務: 碳化矽SiC 晶體成長、晶錠及基板製造
• 專利項目: 已獲專利權36件、營業秘密120項

核心團隊

匯聚15年以上研發經驗,掌握碳化矽晶體成長至基板製造關鍵技術

• 謝明凱 (董事長)
  • 學歷: 國立政治大學經營管理碩士
  • 主要經歷: 廣運集團執行長
• 謝銘勳 (總經理)
  • 學歷: 清大材料科學與工程研究所碩士
  • 主要經歷: 太極能源 總經理
• 馬代良 (技術長)
  • 學歷: 台大材料科學與工程 博士
  • 主要經歷: 國立中山科學研究院 長晶計畫主持人
• 邵彥誠 (財務長)
  • 學歷: 真理大學會計系學士
  • 主要經歷: 旭晶能源 會計管理師、盈碼科技(股)公司主辦會計
• 林柏丞 (工程/生產處處長)
  • 學歷: 國立中山大學材料與光電博士
  • 主要經歷: 國立中山科學研究院 長晶計畫團隊10年以上經歷
• 虞邦英 (研發處長)
  • 學歷: 台大材料科學與工程 博士
  • 主要經歷: 國立中山科學研究院 半絕緣碳化矽與原料合成技術
• 蘇永生 (特助)
  • 學歷: 國立政治大學經營管理碩士
  • 主要經歷: 台灣索尼互動娛樂 總經理、資策會產業研究所產業分析師
• 楊世豪 (業務經理)
  • 學歷: 大同大學光電工程研究所碩士
  • 主要經歷: 太極能源研發經理、8年碳化矽產業經歷

重要里程碑

從技術驗證走向量產落地,持續拓展大尺寸碳化矽產品布局

• 2020: 盛新材料成立、啟動 SiC 技術布局
• 2021:
  • 4吋半絕緣基板送樣國際RF大廠認證
  • 6吋導電型產品開發完成
• 2022:
  • 6吋導電型產品量產、8吋產品技術開發完成
  • 取得政府經濟部工業局8吋半絕緣計畫支持
• 2023:
  • 發表國內首片8吋導電型晶錠及基板
  • 通過車用歐美過際大廠實地稽核通過
• 2024:
  • 發表國內首片8吋半絕緣基板
  • 新增國產化50台長晶爐產線
  • 拓展SiC散熱材料應用
• 2025:
  • 8吋量產持續推進,日本車用大廠實地稽核通過
  • 啟動 12吋產品研發,AI 封裝材料開發
• 2026:
  • 以國產長晶設備完成首顆12吋 SiC碳化矽晶球發表
  • 取得經濟部A+創新研發計畫-12吋 SiC碳化矽單晶長晶技術開發計畫

產品與技術

產業定位和產品種類

晶體到晶圓,盛新掌握碳化矽SiC上游關鍵材料

• 盛新公司產品範疇: 單晶生長、切磨拋、磊晶、晶片製程、封裝模程
• 產品鏈: 原料 → 晶錠 → 基板 → 磊晶片 → IC → 元件 → 功率模組
• 導電型 SiC 基板、晶錠(N-SiC)
  • 應用: 功率元件、電動車(EV)、工業電源
  • 定位: 第三類半導體關鍵上游材料
• 半絕緣型 SiC 基板 (SI-SiC)
  • 應用: RF、5G、低軌衛星、雷達
  • 定位: 高頻通訊與射頻材料

產品發展與佈局

晶體到晶圓,盛新掌握碳化矽SiC 關鍵材料

• 整合型方案:
  • 散熱或客製化產品: 拓展至散熱及客製化產品,從功率半導體切入其他半導體領域
  • 導電型 SiC 材料: 轉入導電型產品,擴大產品應用
  • 半絕緣 SiC 材料: 以半絕緣產品與技術為基礎
• 功率半導體材料:
  • 01 | 散熱及客製化產品 (散熱基板 Thermal SiC)
    • 高導熱、高可靠度
    • 客製化產品 (尺寸/規格/應用)
    • 支援先進封裝、AI、車用、航太等新興應用
  • 02 | 導電型產品 (N-type SiC Substrate)
    • 優異的電性與可靠度
    • 應用於電動車、再生能源、工業電源等
    • 市場需求大、持續擴產
  • 03 | 半絕緣產品 (SI SiC Substrate (V-doped))
    • 高電阻、低損耗、優異的高頻特性
    • 應用於5G基地台、雷達、衛星通訊等
    • 領先技術,穩定

盛新應用佈局-H.A.P.P.I 產品

SiC 多元應用領域佈局

• Heat Solution (散熱解決方案)
  • 12吋 N-type SiC 均熱應用
  • 矩形 SI 4H-SiC 散熱應用
• Power (功率元件)
  • 8吋 N-type SiC 量產
  • 布局日系電動車供應鏈
• Photonics (光子元件)
  • 與關鍵客戶合作開發
  • 次世代AI用PIC (光子積體電路)
• AR Glasses (AR 眼鏡)
  • AR Glass 廠家合作
  • 8吋/12吋客製化 SI 4H-SiC
• Infrastructure (基礎建設)
  • 4吋/6吋/8吋全系列半絕緣 SiC
  • 支援5G、低軌衛星(LEO)建設
  • 8吋支援 GaN on SiC,應用於AI 資料中心新世代電源

核心競爭優勢

三大核心能力

從自主研發到產品驗證,建立碳化矽材料商業化能力

• 01 | 15+年自主長晶技術 × 自製設備能力 (垂直整合能力)
  • 自主長晶設備、製程參數與材料Know-how 協同開發,建立可持續優化的技術基礎
• 02 | 雙技術平台 × 4-12吋產品布局 (完整產品布局)
  • 同時掌握導電型與半絕緣型 SiC,並持續延伸大尺寸技術,拓展多元應用市場
• 03 | 國際客戶驗證 × 非中國供應鏈定位 Tier 1 (商業化能力)
  • 建立非中國來源供應體系,結合國際Tier 1 客戶驗證,推進產品量產與國際市場布局

設備製程材料垂直整合

自製長晶設備 × 製程 Know-how × 非中國來源材料,形成可持續優化的碳化矽技術平台

• 01 設備自製: 掌握長晶設備設計、系統配置與關鍵條件,支援設備調整與材料開發
• 02 製程自主: 整合長晶參數、晶體品質與製程改善經驗,依產品規格持續優化製程
• 03 材料掌握: 建立關鍵原料、零組件與材料製程 Know-how,提升材料品質與供應來源掌握度
• 自主技術回饋循環: 自製長晶爐 → 製程參數 → 晶體生長 → 晶體品質 → 基板良率 (從長晶到品質分析,再持續優化設備與製程,讓我們的技術持續精進。)
• 關鍵優勢:
  • 65台長晶爐設備規模 (4~8吋產品共用)
  • N型+SI型雙產品技術
  • 非中國來源供應鏈布局

專利布局

SI半絕緣 核心技術,建立長期競爭壁壘

• 01 36件專利累積成果: 全球布局,建立完整 IP 組合
  • 12件 (台灣)
  • 8件 (美國)
  • 10件 (中國)
  • 6件 (日本)
  • 商標註冊 12件
• 核心專利技術: SI-特殊深層能隙控制、N-大尺寸低應力長晶技術
  • 晶體成長、設備、原料、製程、加工、檢測、應用等完整技術布局
  • 已取得專利並持續申請中,形成技術壁壘
• 02 法人專利授權: 關鍵技術已獲國際認可
  • 14件專利授權
  • 授權期間 2019/12/17 – 2029/12/26
• 03 2025-2027 專利布局方向:
  • 2025: 完成3篇8吋-12吋碳化矽核心技術專利申請
  • 2026: 8吋 →12吋技術深化與量產驗證
  • 2027: 大尺寸低應力長晶與加工技術成熟

12吋碳化矽 SiC 技術突破

國產長晶爐製備12吋碳化矽晶球,切入AI 先進封裝材料機會

• 12吋晶球尺寸: 已成功完成長晶
• 自主長晶設備: 盛新自主研發
• AI 新應用: 先進封裝散熱需求

供應鏈重組創造新選項

非中國 SiC 來源需求升溫 國際客戶從「最低採購成本」轉向「供應來源多元化 × 風險分散 × 長期供應穩定」

• 全球 SiC 供應鏈加速走向多元化
  • Past (成本與規模優先): 供應來源高度集中
  • Present (供應風險升高): 出口管制與地緣風險增加
  • Future (多來源成為標配): 第二來源與區域供應加速建立
• 非中國供應鏈的價值
  • 分散供應來源: 降低單一來源中斷風險
  • 第二來源認證: 驗證完成後建立長期供應關係
  • 提升供應鏈韌性: 穩定交付與可追溯性更受重視
• 盛新在供應鏈重組中的定位
  • 台灣製造: 提供非中國供應選項
  • 非中國來源布局: 降低原料以及設備供應風險
  • 國際客戶驗證: 逐步建立海外客戶認證
  • 供應鏈橋接: 承接全球來源多元化需求

國際客戶驗證持續推進

建立量產導入基礎 多數導電型與半絕緣型產品已通過驗證並進入最後階段,為後續量產訂單與營收成長奠定基礎

• 01 產品開發:
  • 導電型/半絕緣型 SiC (4"-8" 產品布局)
  • (持續開發大尺寸產品)
• 02 客戶驗證:
  • 多項產品完成關鍵客戶 (規格與性能驗證)
  • (應用領域持續擴大)
• 03 最終認證:
  • 重點產品進入最後階段
  • (量產導入條件逐步成熟)
• 04 量產放量:
  • 驗證完成後導入量產
  • (量產訂單與營收成長可期)
• 導電型 SiC基板、晶錠(N-SiC)
  • 已進入客戶驗證後期
  • 應用:EV、功率元件、能源、工業
  • 合作關係穩定,逐步邁向量產
• 半絕緣型 SiC 基板(SI-SiC)
  • 多項產品進入關鍵客戶驗證
  • 應用:5G/RF、衛星通訊、雷達、高頻元件
  • 驗證進展順利,具量產導入機會

市場趨勢與技術機會

三大市場趨勢

三波需求接力,擴大碳化矽SiC 材料應用邊界 SiC 需求由 EV 延伸至 AI、高頻通訊與新材料應用,市場動能持續多元化

• 第一波 | 規模市場 (電動車(EV) / Power SiC)
  • 電動車(EV)/800V 架構
  • 再生能源與儲能
  • 工業電源/充電基礎設施
  • 產品類型: 導電型碳化矽 SiC
• 第二波 | 結構性成長 (AI Data Center × RF/5G/LEO)
  • AI 資料中心高壓電源
  • RF/5G/6G 基礎建設
  • LEO 衛星與雷達系統
  • 產品類型: 導電型+半絕緣型
• 第三波 | 新興材料機會 (散熱/先進封裝/AR 光學/Photonics)
  • AI 散熱與先進封裝
  • AR/ Optical Systems
  • 光子元件與客製化材料
  • 產品類型: 大尺寸+客製化碳化矽 SiC

導電型市場

功率半導體Power SiC 持續成長,電動車(EV)穩居主力、AI開啟新需求曲線

• Power SiC Devices Market:
  • 2025: $3.7B
  • 2031E: ~$11B
  • CAGR ≈ 20%
• XEV (電動車) ~$6.8B (2031E)
  • CAGR ≈ 21%
  • 電動車(EV) 提供規模: 800V 架構、主逆變器與車載充電持續推動 SiC 滲透。
• AI Data Center ~$0.7B (2031E)
  • CAGR ≈ 18%
  • AI開啟新需求曲線: AI 電力需求提升,使高壓、高效率電源轉換成為新成長動能。
• Power SiC Devices Market, Split by End-Systems ($M) (Source: Yole Group, Power SiC 2026 - Markets and Applications report)
  • 2025 Total: $3.7B
    • XEV: ~$2.1B
    • PV + ESS: ~$800M
    • XEV charging infrastructure: ~$300M
    • PFC/Power supply: ~$300M
    • Rail: ~$100M
    • UPS: <$50M
    • Wind: <$5M
    • Others: <$40M
  • 2031 Total: ~$11B
    • XEV: ~$6.8B (CAGR: 21%)
    • PV + ESS: $2.3B (CAGR: 18%)
    • XEV charging infrastructure: ~$700M (CAGR: 18%)
    • PFC/Power supply: ~$700M (CAGR: 17%)
    • Rail: ~$300M (CAGR: 17%)
    • UPS: <$100M (CAGR: 78%)
    • Wind: <$50M (CAGR: 10%)
    • Others: <$40M (CAGR: 10%)

AI Data Center

AI 電力架構升級,擴大碳化矽SiC 高壓、高效率應用

• 傳統架構: 10kV/20kV 三相交流電 → 變壓器 → 機櫃配電 48/54V DC → PSU > 3kW
  • 過往多採48/54V 機櫃配電架構,效率與功率密度已接近極限
• 新世代架構: 碳化矽助力高壓直流(HVDC)
  • 10kV/20kV 三相交流電 → HVDC 整流/轉換 → Sidecar Power Rack → 機櫃配電 800V DC / ±400V DC → PSU > 3kW
  • 功率等級不斷突破3kW,最終邁向 800V DC/±400V 高壓直流架構,是 AI 工廠電源架構的必然進程,未來更將導入 SST(固態變壓器)
• 碳化矽在AI Data Center 的關鍵應用: 碳化矽SiC 將成為高壓、高功率電源轉換的重要關鍵元件
  • PFC (AC-DC 整流)
  • DC-DC (轉換器)
  • 800V (DC-DC 模組)
  • HV IBC/SST (固態變壓器)

半絕緣市場

高頻通訊、航太與無人機擴張,推動半絕緣碳化矽 SiC 市場加速成長

• Global Semi-insulating SiC Wafer Market:
  • 2023: $520M
  • 2030E: ~$1,753.8M
  • CAGR = 19.3%
• 五大應用驅動市場成長:
  • 低軌衛星/通訊衛星
  • 5G/6G 基地台
  • 無人機/eVTOL
  • 航太電子設備
  • 雷達系統
• Global Semi-insulating silicon carbide wafer Market Size by 2023 to 2030 (USD Million) (Source: SNS Insider, Silicon Carbide Wafer Market, 2024)
  • 2021: ~$200M
  • 2022: ~$300M
  • 2023: $430.3M
  • ...
  • 2030: $1753.80M
  • CAGR 19.3%

高頻與衛星應用

GaN-on-SiC 持續擴張,高頻與衛星應用成為核心需求

• Packaged RF GaN Device Market:
  • 2025: $1.3B
  • 2031E: ~$2.4B
  • CAGR ≈ 11%
• 應用細分 (2025 → 2031E):
  • 5G/Telecom: 2025 約 US$500M → 2031 約 US$1B (CAGR ≈ 11%)
  • Aerospace / Radar: 2025 約 US$600M → 2031 約 US$1B (CAGR ≈ 10%)
  • SATCOM/LEO: 2025 約 US$200M → 2031 約 US$300M (CAGR ≈ 15%)
• PACKAGED RF GAN DEVICE – FORECAST 2025 - 2031, SPLIT BY APPLICATION (Source: Yole, RF GaN 2026 report)
  • 2025 Total: $1.3B
    • Defense: ~$28M
    • Telecom infrastructure: ~$600M
    • Satcom: <$200M
    • Others: ~$500M
  • 2031 Total: $2.4B
    • Defense: <$100M (CAGR +15%)
    • Telecom infrastructure: ~$1B (CAGR +10%)
    • Satcom: ~$300M (CAGR +15%)
    • Others: ~$1B (CAGR +11%)
  • Overall CAGR25-31: 11%

SI SiC 競爭核心

高頻、衛星與市場重視可靠供應,競爭邏輯不同於一般價格市場

• 01 供應安全: 非中來源與穩定交付
• 02 技術門檻: 高電阻均勻性 × 大尺寸 × 高良率
• 03 客戶認證: RF / 航太/5G 長週期驗證

AI時代高功率晶片面臨散熱瓶頸

AI 與高功率應用升級,推升散熱材料需求

• 功率密度快速提升 (Power Density Growth)
  • 100 W/cm²
  • 300 W/cm²
  • 1000+ W/cm²
• AI 與高功率應用升級,推升散熱材料需求
  • 01 AI GPU: 高效能運算需求大幅提升,功耗突破千瓦等級
  • 02 HBM: 高頻寬記憶體堆疊密集,產生大量熱能
  • 03 光通訊: 資料中心高速傳輸升級,模組功耗持續攀升
  • 04 SiC 功率元件: 高壓高頻應用普及化,功率密度大幅提升
  • 05 高功率雷射: 高功率雷射應用擴展,對散熱效能要求嚴苛

大尺寸新應用

大尺寸 SiC 打開光學與先進封裝新應用

• AR 眼鏡
  • 高折射率材料潛力
  • 高硬度、優異機械強度
  • 支援輕薄化光學設計
  • 8"/12" 客製化 SiC 晶圓 → AR Glass / Optical Systems
• 12吋 SiC 材料平台
• 先進封裝
  • 高機械強度
  • 優異熱穩定性/高熱傳導
  • 大尺寸晶圓潛力(12吋產品)
  • AI GPU / HBM / Advanced Package

營運概況與未來展望

營收成長趨勢

三大競爭優勢驅動未來營收倍數成長

• 營收(仟元):
  • 2022: 3,685
  • 2023: 12,142
  • 2024: 31,748
  • 2025: 33,886
  • 2026H1: 36,953
• 2026H1營收已超越2025全年
• 下一階段成長動能: 半絕緣量產+導電型驗證
  • 市場趨勢向上
  • 技術壁壘深厚
  • 策略布局精準

營收成長動能

客戶、產品、尺寸與新應用四軸同步擴張

• 01 客戶擴張: 持續推進既有與新客戶認證,擴大產品導入及出貨機會
• 02 產品擴張: 導電型與半絕緣型雙產品布局,擴大產品組合與營收來源
• 03 尺寸升級: 推進6吋、8吋產品商業化及12吋技術開發
• 03 應用延伸: 從功率、高頻市場延伸至散熱、光學及先進封裝材料

未來展望 | 半絕緣產品

半絕緣產品即將進入量產放量,營收邁向新階段

• 量產前關鍵條件逐步成熟
  • 半絕緣產品目標占比超過5成
• 客戶驗證完成: 多家客戶預計完成最終驗證,正式進入量產階段
• 產品比重提升: 半絕緣產品占比將由目前 3-4成,提升至超過5成。
• 應用持續擴大: 聚焦5G、衛星通訊、雷達與高頻元件,擴大高頻市場布局

未來展望 | 半絕緣產品

三大成長引擎,驅動盛新未來

• 2027
  • 半絕緣型碳化矽SiC: 從客戶驗證邁向量產放量 (RF/5G、低軌衛星、雷達)
• 2028
  • 導電型碳化矽SiC: 擴大功率半導體產品導入 (EV、工業電源、能源)
  • 新興材料應用: 延伸大尺寸與客製化材料技術 (AI散熱、先進封裝、光學)
• 未來

公司願景

成為第三類半導體材料的領航者

品質政策

• 持續改善: 持續優化,追求卓越
• 客戶滿意: 以客為本,超越期待
• 穩定供應: 產能可靠,準時交付
• 技術精進: 研發創新,精益求精
• 品質為本: 嚴謹把關,品質優先