昇陽半導體 (PSI) 2025Q3 法說會簡報
Company Overview
公司名稱: 昇陽半導體 (Phoenix Silicon International Corporation, PSI) 簡報日期: 2025年11月 核心訊息 (Key Messages)
- AI 應用驅動先進製程與異質封裝，全面推升高規格再生晶圓需求。
- 專注12吋功率元件薄化及新型導熱介面材料，賦能次世代AI產品。
- 以創新技術為導向，搭配嚴謹紀律，確保長期獲利與領導地位。 免責聲明 (Safe Harbor Notice)
- 昇陽半導體對其目前期望的陳述是前瞻性陳述，受到重大風險和不確定性的影響，實際結果可能與前瞻性陳述中包含的內容有重大差異。
- 有關可能導致實際結果變化的因素的資訊，可在昇陽半導體向台灣證券交易所公司 (TWSE) 提交的年度或季度報告以及PSI不時向TWSE提交的其他文件中找到。
- 除非法律有要求，否則公司不承擔更新任何前瞻性陳述的義務。
- 此份報告的數字是按照國際財務報導準則 (IFRS) 編制的。
Financial Highlights
2025年第3季財務表現 (2025Q3 Financial Performance)
| Item (項目) | 2025Q1 | 2025Q2 | 2025Q3 |
|---|---|---|---|
| 晶圓出貨量 (千片十二吋約當晶圓) | 2,099 | 2,292 | 2,531 |
| 營業收入淨額 (美元百萬元) | 33 | 34 | 38 |
| 營業收入淨額 (新台幣百萬元) | 1,082 | 1,044 | 1,164 |
| 營業毛利率 (GPM) | 37.3% | 32.0% | 33.4% |
| 營業淨利率 (OPM) | 24.0% | 19.7% | 20.9% |
| 純益率 (Net Margin) | 21.3% | 9.5% | 17.3% |
| 每股盈餘 (EPS) - (新台幣元) | 1.34 | 0.58 | 1.17 |
| 股東權益報酬率 (年化) | 21.2% | 15.6% | 17.8% |
| 營業現金流 (新台幣百萬元) | 426 | 304 | 261 |
| 資本支出 (新台幣百萬元) | -944 | -793 | -313 |
| 自由現金流量 (新台幣百萬元) | -518 | -489 | -52 |
| 關鍵數據點 (2025Q3) |
- Revenue: NT$ 1,164M
- GPM: 33.4%
- OPM: 20.9%
資本支出與資本密集度 (CapEx and Capital Intensity)
- 2025Q3 資本密集度 (Capital intensity): 27%
- 2025 Q1~Q3 資本密集度 (Capital intensity): 62% (Payment Schedule)
Products & Technologies
PSI 發展的兩項核心戰略驅動力
- 晶片前段製程微縮 (Front-end Process Scaling)
- 主要驅動力來自 Leading-edge Logic (領先邏輯製程) 和 HBM/DRAM (高頻寬記憶體/動態隨機存取記憶體)。
- 先進封裝產能的規模化部署 (Scaling Deployment of Advanced Packaging Capacity)
- 產能指數 (Capacity Index, 2024=100) 預計在 2027F 達到高峰，主要由 New Capacity Ramp (新產能擴增)、New Module (新模組) 和 OSAT (委外封裝測試廠) 驅動。
再生晶圓成長動能 (Reclaimed Wafer Growth Drivers)
- 記憶體製程用的再生晶圓 (Reclaimed Wafers for Memory Process): Shipment Index (2020=100) CAGR 86% (2020-2025 Q1~Q3).
- 先進封裝製程用的再生晶圓 (Reclaimed Wafers for Advanced Packaging Process): Shipment Index (2020=100) CAGR 54% (2020-2025 Q1~Q3).
12吋矽晶圓薄化業務 (12-inch Silicon Wafer Thinning Business)
- 擴展 12吋薄化能力 因應次世代需求: 12" Silicon thinning CAGR 96.9% (2024-2028F).
碳化矽 (SiC) 技術與應用
超越矽材料 - 碳化矽的關鍵特性 (Key Characteristics of SiC)
| 特性 (Feature) | 說明 (Description) | 數值 (Value) |
|---|---|---|
| 高崩潰電場 (High Breakdown Field) | 強度約為矽的 10 倍，可實現更薄的漂移層。 | 10x (vs Si) |
| 機械強度 (Mechanical Strength) | 莫氏硬度約 9.2，為矽的 1.3 倍。高硬度與高強度。 | Mohs hardness 9.2 (1.3x Si) |
| Thermal Conductivity (熱傳導率) | 矽的 2–3 倍。 | 260–450 W/mK |
| Optical Transmission (光學穿透) | 在 0.4–2 µm 範圍最佳，表現優於玻璃。 | - |
| 碳化矽新時代應用 (SiC Applications) |
- Heat Dissipater (散熱片)
- IC Substrate (IC基板)
- Specialty glass (特殊玻璃) Dr. MOS 掌握多重市場成長機遇
- Traditional Design
- Driver MOSFET
- High Density Power Module
Outlook & Strategy
半導體產業展望 (Semiconductor Industry Outlook)
- AI 推動半導體市場邁向1兆美元: 預計 2024 年至 2028 年 CAGR 11.2%。
- AI 驅動從中心雲端至邊緣運算 (AI Driven from Central Cloud to Edge Computing):
- AI Data Center: 5Mu (2022) -> 50Mu (2030F)
- AI Smartphone: 200Mu (2024) -> 1,000Mu (2030F)
- AI PC: 100Mu (2024) -> 280Mu (2030F)
- AI AR/XR: 50Mu (2030F)
- Robo Taxi: 2.5Mu (2030F)
- Humanoid Robotics: 2.5Mu (2030F)
戰略資本支出與未來投資佈局 (Strategic CapEx and Future Investment Layout)
核心戰略主題: 智慧 規模 永續 (Intelligence, Scale, Sustainability)
- 12吋再生晶圓產能擴張: 前瞻佈局 12吋再生晶圓產能，確保能高效供應高規格產品，奠定長期訂單的基石。
- 投入碳化矽晶圓製程研發: 投資 SiC 晶圓製程技術，該技術不僅是 AI 的現在，更是形塑 AI 未來的關鍵。
快速擴大市佔率 (Rapid Market Share Expansion)
| PSI Share % | 23 | 24 | 25E | 26F | 27F | 28F |
|---|---|---|---|---|---|---|
| WW (Worldwide) | 29% | 33% | 38% | 42% | 43% | 45% |
| TW (Taiwan) | 43% | 47% | 51% | 55% | 57% | 59% |
長期擴產規劃 (Long Term Expansion Plan)
台灣擴張計畫 (Taiwan Expansion Plan Update)
- 新竹 複合製程基地 (Hsinchu Composite Process Base): 1998年：再生晶圓量產。 2005年：晶圓薄化量產。
- 台中 專用再生晶圓廠 (Taichung Dedicated Reclaimed Wafer Fab): 2022年：第一座廠量產。 2025年起：啟動第二座廠建設。
- 南臺灣 (Southern Taiwan): 先進製程製造重鎮。 PSI 正審慎評估可行性。
全球長期機會 (Long Term Opportunities - Global Strategy Map)
| 區域 (Region) | 驅動力 (Drivers) | 策略 (Strategy) |
|---|---|---|
| USA | 晶片法案政策驅動；縮短交貨期間。 | 與在地供應商建立深度合作關係；執行價格策略。 |
| Taiwan | 持續增長的先進製程和封裝需求；專業人才與完整產業生態系統。 | 建構 AI 驅動的智慧化晶圓廠；即時交付支援。 |
| India | 政府的政策推動與扶持；全球晶圓廠的投資湧入。 | 與在地晶圓廠建立策略合作夥伴關係；模組化生產線，實現快速規模擴張。 |
Additional Data
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