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昇陽半導體 2026Q3 法人說明會
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法人說明會
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昇陽半導體 2026Q3 法說會簡報重點與營運摘要

昇陽國際半導體股份有限公司 (PSI) [time:2026Q2] 法說會簡報

免責聲明

本簡報所載預期屬前瞻性陳述,涉及重大風險與不確定性,實際結果可能與陳述內容有重大差異。相關風險因素請參閱本公司公告於臺灣證券交易所之年報、季報及其他公開資訊。除法令另有規定外,本公司無義務因新資訊或未來事件更新前瞻性陳述。本簡報財務數字係依IFRS編製。

Company Overview

  • 公司名稱: 昇陽國際半導體股份有限公司 (Phoenix Silicon International Corporation)
  • 成立: 1997年
  • 上市: 2018年
  • 實收資本額: $1,790M (截至2026年6月30日)
  • 市值: $45,700M (截至2026年8月31日)
  • 員工: 910人 (截至2026年6月30日)
  • 營運據點:
    • 總公司 新竹科學園區
    • 中港分公司

Business Segments

  • WW No.1 MEOL Foundry Wafering Thinning (晶圓薄化)
  • WW No.1 Reclaim Services Quantity & Quality (再生晶圓服務)
    • 圖示顯示再生晶圓服務佔比略大於晶圓薄化。

Products & Technologies

PSI的差異化優勢

  • 01 最具價值
    • 技術領先創新者: 先進製程能力推升獲利含金量；技術領先為客戶創造最佳價值。
  • 02 最具擴張性
    • AI賦能自動化先驅: 自動化與AI提升生產力與執行一致性；可擴充產能支撐中長期成長。
  • 03 最具環保效益
    • 資源再利用實踐者: 再生晶圓將ESG融入營運核心；資源循環效率提升長期獲利。

支柱一: 再生晶圓技術、產能世界第一

  • 製程演進與再生晶圓價值提升
    • 先進製程再生晶圓用量增加,四大規格升級支撐更高獲利含金量。
    • 再生晶圓使用量 (依製程節點):
      • 40nm: 0.25
      • 28/22nm: 0.8
      • 16/12nm: 1
      • 10nm: 1
      • 7nm: 1.5
      • 5nm: 2
      • 3nm: 2.5
      • 2nm: 3.15
      • 1.4nm: 4
  • 再生晶圓品質指標
    • 核心品質指標:
      1. 微粒數量與尺寸: 確保先進製程所需表面潔淨度。
      2. 金屬污染程度: 控管微量金屬,確保可靠度。
      3. 回貨率: 衡量再生良率與再利用效率。
      4. 表面移除量: 控制移除深度與表面均勻性。
    • 微粒尺寸路線圖 (LLS) (nm):
      • 2016Y: 32
      • 2018Y: 26
      • 2020Y: 19
      • 2023Y: 17
      • 2025Y: 15
      • 2028Y: 13
    • 表面金屬殘留路線圖 (E10 atoms/cm²):
      • 2016Y: 1
      • 2019Y: 0.6
      • 2021Y: 0.3
      • 2023Y: 0.1
      • 2025Y: 0.08
      • 2027Y: 0.06
  • 技術演進 (再生晶圓製程)
    • Gen1 WIWO CMP (濕進濕出CMP): 傳統製程 (CMP → Water tank → CMP → Water tank → SSS Cleaner)
    • Gen2 DIDO CMP (乾進乾出CMP): 支援OHT (CMP → SSS Cleaner → CMP → SSS Cleaner)
    • Gen3 GDP (研磨與乾式拋光): 高品質 (Grinder → Dry Polisher → SSS Cleaner)
    • Gen4 AP Stripper (先進物理剝離): 環保製程 (Stripper → SSS Cleaner)
  • 技術導入路線圖 (效率指數)
    • 再生技術世代:
      • 第一代: 濕進濕出CMP
      • 第二代: 乾進乾出CMP
      • 第三代: 研磨與乾式拋光
      • 第四代: 先進物理剝離
    • 提升效率與效益: 單位折舊產出提升、人均產出提升。
    • 效率指數 (2018-2028F):
      • 2018: G1 ~100
      • 2020: G1 ~100, G2 ~30 (Total ~130)
      • 2022: G1 ~100, G2 ~45 (Total ~145)
      • 2026E: G1 ~100, G2 ~50, G3 ~30 (Total ~180)
      • 2028F: G1 ~100, G2 ~50, G3 ~30, G4 ~30 (Total ~210)

支柱二: 晶圓薄化快速成長

  • AI帶動DrMOS數量提升
    • Core DrMOS Count (units):
      • 2023-2026 (第一代): 64-80
      • 2026-2028 (第二代): 120-150
      • 2030以後 (第三代): 160+
    • AI伺服器電源架構演進:
      • Gen 1 Today: Integrated IT rack, AC distribution. Est. TDP: ~1,200W, HBM3e (8), 90A-110A.
      • Gen 2a/2b 50 V server: Disaggregated IT rack, AC distribution. Est. TDP: ~2,300W, HBM4 (12-16), 130A+.
      • Gen 2c Next gen 800 V server: Disaggregated IT rack, AC distribution. Est. TDP: ~2,500W+, HBM4E, 140A+/Vertical Power Module.
      • Gen 3 Next gen 800 V server: Disaggregated IT rack, DC distribution.
  • IDM DrMOS趨勢 (千片/月)
    • 2025: ~15
    • 2026E: ~25
    • 2027F: ~45
    • 2028F: ~60
    • CAGR 54.6%
    • 重點訊息: AI伺服器成長,TAM持續擴大；GPU伺服器建置提升,帶動AI基礎建設與電源管理DrMOS需求。
  • PSI Power DrMOS晶圓投片 (千片/月)
    • 2025: ~3
    • 2026E: ~14
    • 2027F: ~32
    • 2028F: ~39
    • CAGR 131%
    • 重點訊息: AI伺服器電源升級加速Power DrMOS投片,推升更薄(50~32µm)、高價值Taiko製程需求。在快速成長TAM中,以市占提升帶動超額成長。

支柱三: 先進材料解決方案

  • AMS應用: Dummy Die / 散熱管理 / 翹曲控制
  • Si – Dummy Die (Foundational Semiconductor Material)
    • 1) Mature & Scalable: Large-area wafer growth; Cost-effective, abundant, and well-established manufacturing.
    • 2) Excellent Semiconductor: High carrier mobility (~1350 cm²/V-s); Ideal for high-speed, low-power electronics.
    • 3) Moderate Bandgap: Bandgap ~1.12 eV (indirect); Enables efficient electronic and optoelectronic devices.
    • 4) Good Thermal Properties: Thermal conductivity ~150 W/m·K; Stable up to ~600 °C in inert environments.
  • SiC – Thermal Dissipation (High-Performance Material)
    • 1) Better Thermal Conductivity: 260-450 W/m·K; ~2-3x higher than Si.
    • 2) Mechanical Strength: Mohs hardness ~9.2; ~1.3x stronger than Si.
    • 3) Optical Transmission: SiC: optimal at 0.4–2 µm; Strong and durable.
    • 4) High Breakdown Field: ~10x higher than Si; Enables a thinner drift layer.
  • Al2O3 – Warpage Control (Advanced Ceramic Material)
    • 1) Single-Crystal Al2O3: Sapphire-based mono substrate; Suitable for laser de-bonding.
    • 2) Mechanical Hardness: Excellent wear and abrasion resistance; High strength and rigidity.
    • 3) Thermal Stability: Melting point ~2072 °C; Good dimensional stability.
    • 4) Chemical Resistance: Strong oxidation resistance; Suitable for harsh environments.
  • AMS: SiC散熱/ Si Dummy Filler
    • 導入Si Dummy Filler,提升結構穩定與封裝一致性。
    • 以SiC取代Si載板,優化散熱效率。
    • 採用Al2O3陶瓷基座,強化基板翹曲控制。
    • 先進封裝結構示意: 包含Silicon Dummy, HBM, SiC載板 (SoC或SolC), Interposer, LSI, Substrate。

Financial Highlights

2026Q2財務亮點 - 再創歷史新高

  • 營收: NT$ 1,427M
  • 毛利率: 37.9%
  • 營益率: 25.9%
  • 營收 (新台幣 佰萬元):
    • 25Q1: ~1,100
    • 25Q2: ~1,050
    • 25Q3: ~1,180
    • 25Q4: ~1,250
    • 26Q1: ~1,300
    • 26Q2: 1,427 (歷史新高)
  • 毛利率 (GM%) & 營益率 (OPM%):
    • GM%:
      • 25Q1: 37.3%
      • 25Q2: 32%
      • 25Q3: 33.4%
      • 25Q4: 33.4%
      • 26Q1: 37.6%
      • 26Q2: 37.9% (歷史新高)
    • OPM%:
      • 25Q1: 24%
      • 25Q2: 19.7%
      • 25Q3: 20.9%
      • 25Q4: 21.5%
      • 26Q1: 25.5%
      • 26Q2: 25.9% (歷史新高)

Clients & Markets

  • 市佔世界第一 昇陽半導體市佔率持續提升
    • 整體市場持續擴張。
    • 昇陽半導體在這波成長中佔據更大的優勢。
    • 市場佔有率 (%):
      • 2025: PSI ~34%, RST ~30%, Hamada ~18%, Kinik ~10%
      • 2026E: PSI ~36%, RST ~32%, Hamada ~22%, Kinik ~12%
      • 2027F: PSI ~38%, RST ~32%, Hamada ~20%, Kinik ~12%
  • AI推升PSI薄化高價值營收占比
    • CAGR 45%
    • 2028F Al Server與車用營收占比預期達63%與21%,支撐毛利率倍增。
    • 營收佔比 (%):
      • 2025: Al Server/PC ~20%, ATV ~15%, Consumer ~30%, Mobility ~20%, others ~15%
      • 2026E: Al Server/PC ~40%, ATV ~15%, Consumer ~20%, Mobility ~15%, others ~10%
      • 2027F: Al Server/PC ~50%, ATV ~20%, Consumer ~15%, Mobility ~10%, others ~5%
      • 2028F: Al Server/PC ~63%, ATV ~21%, Consumer ~8%, Mobility ~5%, others ~3%

ESG / Sustainability

  • 台灣首座半導體氨水回收系統
    • Taiwan First: First mover in Taiwan to introduce an aqueous ammonia recovery system.
    • Cradle-to-Cradle: Waste ammonia → Recovery → Industrial-grade ammonia → Reuse。
    • Carbon Reduction: Expected annual GHG reduction over 330k tons CO₂e/year.
    • 重點訊息: 建立「Cradle to Cradle」(搖籃到搖籃),資源循環圈；昇陽半導體正將廢氨水轉化為工業級氨水,從傳統的廢棄物處理轉型為循環資源再生。
  • 2025年 永續發展 關鍵摘要
    • Resource Efficiency (資源效率):

      • 0.88m kWh electricity saved

      • 57% process water recycling
      • 96% waste recycling
    • Governance & Climate Action (治理與氣候行動):
      • CDP Climate Change: Grade B
      • Taiwan Sustainability Rating: Grade A
      • Governance Evaluation: Top 6–20%
    • People & Sustainable Growth (人才與永續成長):
      • Pension contribution: 6% → 8%
      • Employee stock trust contribution: 50%
      • ESG embedded in PSI's 4S strategy
    • 重點訊息: 營運效率提升組織韌性；治理紀律能強化信任；人才投資驅動長期成長。

Outlook & Strategy

  • AI推動半導體市場突破2兆美元
    • 半導體市場規模 (US$T) 預測:
      • 2026 (FCST): ~1.5
      • 2030 (FCST): ~2.4
  • 先進製程加速擴產 (千片/月)
    • AI驅動產能擴張 Sin-5nm CAGR 27.7%。
    • 關鍵製程節點應用: CPO-EIC 7nm, Optical DSP sub-7nm, HBM base die sub-5nm, AISC sub-5nm, GPU sub-4nm。
    • 總產能預測:
      • 2025: ~400
      • 2026E: ~500
      • 2027F: ~620
      • 2028F: ~720
  • 先進封裝快速升溫 (2.5D封裝產能 千片/月)
    • CAGR 52.5%。
    • 2.5D封裝產能成長,凸顯AI帶動的先進封裝需求強度。
    • 產能預測:
      • 2025: ~70
      • 2026E: ~120
      • 2027F: ~190
      • 2028F: ~250
  • AI帶動記憶體需求攀升 (千片/月)
    • 總體 CAGR 5.1%。
    • AI DRAM CAGR 46.8%。
    • AI NAND CAGR 22.5%。
    • 總需求預測:
      • 2024: ~2,800
      • 2025: ~2,900
      • 2026E: ~3,000
      • 2027F: ~3,300
      • 2028F: ~3,600

重點結論

  • AI帶動半導體需求快速成長,PSI受惠於前段先進製程至後段先進封裝的高成長週期。
  • PSI 以三大策略核心驅動未來:創新循環再生、極致功率減薄技術,與先進材料開發。
  • PSI長期競爭護城河來自製程品質、營運效率與環境永續技術。

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